据外洋媒体报导，上周六，三星电子推出了多款与3纳米芯片造造工艺相干、有助于强化代工生态体系计谋的设想东西和手艺。

按照此前动静，三星电子的3纳米造程工艺将采取GAA手艺。与基于FinFET手艺的5纳米工艺比拟，三星首个3纳米GAA工艺节点的机能将晋升30%，功耗将下降50%，芯单方面积将削减35%。

本年10月份，三星电子颁布发表，它将于2022年上半年起头量产3纳米芯片，那一时候表将正在台积电之前。据悉，台积电打算正在2022年7月量产3纳米芯片。若是依照三星电子的打算，它将成为环球 一家量产3纳米芯片的代工场。

上周，外媒报导称，AMD和高通能够将成为三星3纳米芯片造程工艺的首批客户。