据中国台湾媒体《经济日报》报导，联电与三星协作开辟的 22nm 高压抑程 快来岁首季起头试产考证，届时将为三星代工新的 OLED 驱动 IC。

▲ 图源：经济日报

据悉，联电方面证明，22nm 高压抑程正因应客户需求开辟中，但没法流露客户称号。台媒阐发称今朝 OLED 驱动 IC 厂商中唯一三星有才能导进联电的 22nm 高压抑程， 快来岁 1 季起头小量试产考证，早期产能数千片，以后慢慢放年夜至数万片。

该报导指出，联电 22nm 造程与本来 28nm 造程比拟，可以或许缩减 10%的晶粒面积，且具有更佳功率效能比和更强的射频机能。22nm 高压抑程则从本来可撑持的 1.8V/3.3V/5V/8V 进步至 年夜撑持 10V/18V。