据 BusinessKorea 报导，三星电子正正在加速 3D DRAM 的研讨和开辟，那家半导体巨子已起头增强相干团队扶植，好比雇用职员。

曩昔，DRAM 是经由过程将晶体管和电容器排正在一个平面上出产的。但是，跟着 20 世纪 80 年月末 DRAM 容量跨越 4 兆，进步 DRAM 的密度变得坚苦，使得从头摆列电路和电容成为必定。那时，DRAM 行业分为“沟槽组”和“仓库组”，前者挑选将电路和贮存器放正在平面下，后者挑选将它们聚积正在平面上。

日本的东芝和 NEC 和美国的 IBM 更偏向于沟槽法，而三星电子则挑选堆叠法。那时，三星电子采取堆叠法是由于那是一种更轻易造造 DRAM 和查抄出产进程中题目的方式。是以，三星电子能够成立一个半导体帝国，并正在年夜约 30 年的时候里一向连结其正在 DRAM 市场上的 一职位。

正在堆叠法变得遍及以后，芯片造造商经由过程缩小单位尺寸或间距来进步 DRAM 的机能。但是，正在有限的空间内增添单位的数目，他们碰到了物理限定。另外一个题目是，若是电容器变得愈来愈薄，它们能够会坍塌。3D DRAM 的观点就是正在这类布景下提出的，今朝的 DRAM 能够被称为 2D DRAM。

据报导，三星电子已起头开辟一种躺着堆叠单位的手艺。那是与高带宽内存(HBM)分歧的观点，后者是经由过程将多个模具堆叠正在一路发生的。

另外，三星电子还正在斟酌增添 DRAM 晶体管的栅极(电流门)和通道(电流途径)之间的打仗面。那意味着三面打仗的 FinFet 手艺和四周打仗的 Gate-all-around(GAA)手艺能够用于 DRAM 出产。当栅极和通道之间的打仗面增添时，晶体管能够更切确地节制电流的活动。

美光科技和 SK 海力士也正在斟酌开辟 3D DRAM。美光提交了一份与三星电子分歧的 3D DRAM 的专利申请。美光公司的方式是正在不展设单位的环境下改动晶体管和电容器的外形。Applied Materials 和 Lam Research 等环球半导体装备造造商也起头开辟与 3D DRAM 有关的处理计划。

但是，因为开辟新质料的坚苦和物理限定，3D DRAM 的贸易化还需求一些时候。业内助士展望，3D DRAM 将正在 2025 年摆布问世。