环球半导体企业为了率先批量出产 200 层以上 NAND 闪存，睁开了剧烈的手艺合作。三星电子打算正在 2022 年末或 2023 年上半年推出 200 层以上 NAND 闪存，并正在来岁上半年起头批量出产。

据 businesskorea 报导，三星电子原打算正在 2021 年底起头量产 176 层 NAND，但斟酌到市场环境，推延到了 2022 年 一季度。不外美国的美光已起头量产 176 层 NAND，业内助士展望，三星电子将加速 200 层以上 NAND 闪存量产的程序，以夺回被美光夺走的手艺抢先职位。

业内助士称，三星电子将正在 128 层的单片存储器上叠加 96 层，推出 224 层的 NAND 闪存。与 176 层比拟，224 层 NAND 闪存的出产效力和数据传输速率将进步 30%。

别的，美光和 SK 海力士也正在加快 200 层以上 NAND 闪存的开辟。