三星的晶圆代工部分比来负面不竭，此前有动静称部门员工涉嫌捏造和虚报5nm、4nm、3nm工艺造程的良品率，乃至于高通如许的VIP客户都要出走，从头利用台积电出产骁龙8处置器。

不外从手艺上来讲，三星此刻仍然是独一能紧逃台积电的晶圆代工场，固然正在7nm、5nm及4nm节点上掉队了一些，但正在接下来的3nm节点三星更激进，要环球首发GAA晶体督工艺，抛却FinFET晶体管手艺，而台积电的3nm工艺仍然会基于FinFET工艺。

三星之前暗示，GAA是一种新型的环抱栅极晶体管，经由过程利用纳米片装备造造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该手艺能够明显加强晶体管机能，首要代替FinFET晶体管手艺。

按照三星的说法，与7nm造造工艺比拟，3nm GAA手艺的逻辑面积效力进步了45%以上，功耗下降了50%，机能进步了约35%，纸面参数上来讲倒是要优于台积电3nm FinFET工艺。

固然，那些仍是纸面上的，三星的3nm工艺应战也很多，光是量产就是个题目，之前三星宣扬2021年就量产，现实上并没有， 快也是本年，并且首发的是3GAE低功耗工艺，高机能的3GAP工艺 少要2023年了。

据韩国媒体报导，三星已筹办正在韩国平泽市的P3工场完工扶植3nm晶圆厂了，6、7月份开工，并实时导进装备。

依照那个进度，本年的3GAE工艺应当也只会是小范围试产，年夜范围量产也要到来岁了，跟台积电的3nm工艺差未几，两家都由于各种题目延期量产3nm工艺了。