3月30日消息 企查查 App 显示，近日，华为技术有限公司公开 “石墨烯场效应晶体管”专利，公开号为 CN110323266B。

　　专利摘要显示，该申请提供一种石墨烯场效应晶体管，涉及半导体技术领域，可提高器件输出电阻，从而提高开关比，实现更好的射频性能。一种石墨烯场效应晶体管，包括：衬底、 一栅电极、 二栅电极、 一栅介质层、 二栅介质层、沟道层以及源电极和漏电极。

　　此外，沟道层的材料包括 AB 堆垛双层石墨烯或者 AB 堆垛多层石墨烯; 一栅电极和 一栅介质层设置于沟道层的一侧， 二栅电极和 二栅介质层设置于沟道层的另一侧; 一栅电极包括多个间隔设置的 一子电极以及 一连接子电极; 一子电极的延伸方向与源电极和漏电极的间距方向交叉， 一连接子电极与沟道层在衬底上的投影无交叠; 一子电极和 二栅电极用于向沟道层提供垂直于沟道层的纵向电场。

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