正在加州旧金山举行的 IEDM 2021 国际电子元件集会中，IBM 与三星配合发布了名为垂曲传输场效应晶体管 (VTFET) 的芯片设想手艺，该手艺将晶体管以垂曲体例堆叠，而且让电流也改以垂曲体例畅通，借此让晶体管数目密度再次进步以外，更年夜幅进步电源利用效力，而且冲破今朝正在 1nm 造程设想面对瓶颈。

相较传统将晶体管以程度体例堆叠的设想，垂曲传输场效应晶体管将能增添晶体管数目堆叠密度，而且让运算速率晋升两倍，同时经由过程让电流以垂曲体例畅通，也让电力消耗下降 85%(机能和续航不克不及同时统筹)。

IBM 和三星宣称，该工艺有朝一日能够许可手机正在一次充电的环境下利用一全部礼拜。他们说，那也能够使某些能源麋集型的使命，包罗加密事情，加倍省电，从而削减对情况的影响。

今朝 IBM 与三星还没有流露估计什么时候将垂曲传输场效应晶体管设想利用正在现实产物，但预期很快就会有进一步动静。

不外，台积电已正在本年 5 月颁布发表与中国台湾年夜学、麻省理工学院配合研讨，经由过程铋金属特征冲破 1nm 造程出产极限，让造程手艺下探至 1nm 以下。而英特尔日前也已发布其将来造程手艺成长结构，除现有纳米 (nm) 品级造程设想，接下来也会起头结构埃米 (Å) 品级造程手艺，估计 快会正在 2024 年进进 20A 造程手艺。