国内首款 1.6Tb / s 硅光互连芯片已完成研制

 头条123   2025-01-11 21:10   716 人阅读  0 条评论
国内首款 1.6Tb / s 硅光互连芯片已完成研制 克日,中国信息通讯科技团体光纤通讯手艺和收集国度重点尝试室结合国度信息光电子立异中间(NOEIC)、鹏城尝试室,正在海内率先完成了 1.6Tb / s 硅基光收发芯片的结合研造和功用考证,实现了我国硅光芯片手艺向 Tb / s 级的初次逾越,为我国下一代数据中间内的宽带互连供给了靠得住的光芯片处理计划。

光芯片是光通讯体系中的关头焦点器件,硅光芯片做为采取硅光子手艺的光芯片,是将硅光质料和器件经由过程特点工艺造造的新型集成电路。相对传统三五族质料光芯片,因利用硅做为集成芯片衬底,硅光芯片具有集成度高、本前低、光波导传输机能好等特性。今朝,国际上 400G 光模块已进进商用摆设阶段,800G 光模块样机研造和手艺尺度正正在推动中,而 1.6Tb / s 光模块将成为下一步环球竞相逃逐的热门。

据悉,正在本次 1.6Tb / s 硅基光收发芯片的结合研造和功用考证中,研讨职员别离正在单颗硅基光发射芯片和硅基光领受芯片上集成了 8 个通道高速电光调造器和高速光电探测器,每一个通道可实现 200Gb / s PAM4 高速旌旗灯号的光电和电光转换,终究颠末芯片封拆和体系传输测试,完成了单片容量高达 8×200Gb / s 光互连手艺考证。该事情革新了海内此前单片光互连速度和互连密度的 好程度,揭示出硅光手艺的超高速、超高密度、高可扩大性等凸起上风,为下一代数据中间内的宽带互连供给了靠得住的光芯片处理计划,将为超等计较、野生智能等新手艺、新财产兴旺成长供给有力支持。

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