武汉:到 2025 年,芯片产业产值超过 1200 亿元

 头条123   2025-05-03 23:04   347 人阅读  0 条评论
武汉:到 2025 年,芯片产业产值超过 1200 亿元 据武汉市群众当局网站,武汉市群众当局办公厅本月公布了《关于增进半导体财产立异成长的定见》(以下简称《定见》)。

《定见》提出,到 2025 年,武汉全市半导体财产能级较着晋升,财产布局加倍公道,装备、质料、封测配套程度对关头范畴构成有力支持。

财产范围方面,到 2025 年,芯片财产产值跨越 1200 亿元,半导体显现财产产值跨越 1000 亿元, 三代半导体财产初具范围。

手艺程度方面,到 2025 年,发现专利年均增速跨越 15%,建立 3—5 个国度级立异平台,牵头拟定 2—4 项行业尺度,冲破一批关头焦点手艺,实现一批关头手艺转化和利用。

市场主体方面,到 2025 年,培养构成 5 家发卖收进跨越 100 亿元的芯片企业、5 家发卖收进跨越 100 亿元的半导体显现企业、5 家发卖收进跨越 10 亿元的半导体装备与质料企业,半导体企业总数跨越 500 家,上市企业新增 3—5 家。

《定见》提出的重点使命和财产结构以下:

  重点使命

(一)对准亏弱环节补链

1.加强集成电路装备、质料和封测配套才能。正在装备环节,聚焦三维集成特点工艺,研发刻蚀、堆积和封拆装备,引进化学机器研磨(CMP)机、离子注进机等国产装备出产项目;正在质料环节,环绕进步前辈存储器工艺,开辟抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合质料,结构化学气相堆积质料、溅射靶材、掩膜版、年夜硅片等质料项目;正在封测环节,引进和培养海内外封拆测试领军企业,冲破进步前辈存储器封拆工艺,推动多芯片模块、芯片级封拆、体系级封拆等进步前辈封拆手艺财产化。

2.加速半导体显现装备和质料国产化替换。正在装备环节,聚焦有机发光二极管(OLED)中小尺寸面板工艺,研发光学检测、模组主动化装备,引进显现面板喷印、刻蚀机、薄膜造备等国产装备出产项目;正在质料环节,撑持液晶玻璃基板出产项目扶植,加速 OLED 发光质料、柔性基板质料的研发及财产化,引进滤光片、偏偏光片、靶材等国产质料出产项目。

3.结构 三代半导体衬底及内涵造备。正在装备环节,撑持物理气相传输法(PVT)装备、金属有机化合物气相堆积(MOCVD)、份子束内涵(MBE)等工艺装备的研发及财产化;正在质料环节,引进碳化硅(SiC)衬底、SiC 内涵、氮化镓(GaN)衬底出产线,结构 GaN 内涵晶片产线。

  (二)安身现有根本强链

1.打造存储、光电芯片财产高地。正在存储芯片范畴,重点引进节制器芯片和模组开辟等财产链配套企业,研发超高层数三维闪存芯片、40 纳米以下代码型闪存、静态随机存取存储器、三维相变存储器、存算一体芯片等进步前辈存储芯片;正在光电芯片范畴,撑持 25G 以上光收发芯片、50G 以上相关光通讯芯片的研发及财产化,结构硅基光通讯芯片、高端光传感芯片、年夜功率激光器芯片等高端光电芯片造造项目。

2.扶植海内主要半导体显现财产基地。正在显现面板范畴,引进年夜尺寸 OLED、量子点显现、亚毫米发光二极管(MiniLED)显现等面板出产项目,结构微米级发光二极管(MicroLED)显现、激鲜明示、8K 超高清、3D 显现等将来显现手艺研发及财产化;正在显现模组范畴,撑持周全屏、柔性屏模组的研发及财产化,加速开辟高端面板屏下传感元件及模组,引进光学镜头、背光模组等出产项目,慢慢晋升对中高端面板的财产配套才能。

(三)聚焦热门范畴延链

1.通讯射频芯片。撑持 5G 尽缘衬底上硅(SOI)架构射频芯片、射频电子设想主动化(EDA)软件研发;面向 5G 基站、焦点网、接进网等根本举措措施市场,重点成长基带芯片、通讯电芯片、滤波器等关头芯片。

2.通用逻辑芯片。加速图形处置器(GPU)、显控芯片的开辟及利用,晋升常识产权(IP)查对中心处置器(CPU)、野生智能芯片等逻辑芯片的设想支持才能,结构信创范畴处置器项目。

3.斗极导航芯片。撑持研发斗极三号体系的新一代导航芯片、28 纳米高精度消耗类斗极导航定位芯片、新一代多模多频高精度基带体系级芯片;面向交通、物流、农业、都会办理等范畴开辟通导一体化斗极芯片,拓展斗极利用。

4.车规级芯片。推动数字座舱芯片、驾驶帮助芯片、功率器件、汽车传感器等车规级芯片研发及财产化项目;面向新能源汽车,结构动力体系、主被动平安体系、文娱信息体系、车内收集、照明体系车规级芯片财产化项目。

  (四)环绕前沿范畴建链

1. 三代半导体器件。环绕电力电子器件、射频器件、光电器件等 3 个利用标的目的,引进碳化硅(SiC)功率晶体管、氮化镓(GaN)充电模块、GaN 功率放年夜器、高光效 LED、MiniLED 等器件项目;撑持中高压 SiC 功率模块、GaN 5G 射频开关、紫外 LED 的研发及财产化,冲破 SiC 尽缘栅双极型晶体管(IGBT)、毫米波射频器件、MicroLED 关头手艺。

2.量子芯片。撑持单光子源、激光器、探测器等光量子芯片的研发及财产化;结构量子传感器、量子紧密丈量器件等出产项目;展开量子通讯、量子成像、量子导航、量子雷达、量子计较芯片共性前沿手艺攻关。

  财产结构

(一)打造相对完全的集成电路财产链堆积区。重点成长三维集成工艺、进步前辈逻辑工艺,加速推动进步前辈存储器等重点造造项目扶植;重点成长中高端芯片设想、IP 核设想、EDA 软件等财产,加速推动精简指令集(RISC—V)产学研基地扶植;培养设备、质料、零部件、封测等财产,加速推动硅基 SOI 半导体质料、光刻质料及电子溶剂、筑芯财产园等配套项目扶植。

  (二)构建差别化半导体显现财产焦点区。重点成长中小尺寸显现面板、年夜尺寸显现面板等财产,加速半导体显现财产链向高低游延长成长,培养焦点装备、关头质料、模组、元器件、显现末端等财产,推动华星 t4、华星 t5、天马 G6 二期、京东方 10.5 代线扩产、创维 MiniLED 显现财产园等项目扶植。

(三)建立半导体特点财产区。重点成长光电芯片、 三代化合物半导体等财产,推动红别传感芯片造造、微电机(MEMS)与传感产业手艺研讨院等项目扶植;培养车规级芯片、工控芯片等财产,推动国度新能源和智能网联汽车基地扶植;培养显现芯片、信息平安芯片等财产,推动国度收集平安人材与立异基地扶植;培养野生智能芯片、通用逻辑芯片等财产,推动国度新一代野生智能立异成长实验区扶植。

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